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40G High Speed InGaAs Photodetector .
Fotodiodo InGaAs ad alta velocità da 40G

Fotodiodo InGaAs ad alta velocità da 40G

Il modulo rivelatore ad alta velocità HSPD4040 è progettato per applicazioni sia digitali che analogiche. Il modulo contiene un fotodiodo PIN InGaAs con lunghezza d'onda di risposta compresa tra 1250 e 1650 nm e l'elettronica di adattamento necessaria.

HSPD4040 può fornire una larghezza di banda fino a 40 GHz. Il modulo funziona a +5 V. È conforme allo standard di ingresso in fibra monomodale 9/125 μm. La porta di uscita RF è un connettore da 2,92 mm con impedenza di 50 ohm. HSPD4040 è sigillato ermeticamente e pesa meno di 20 grammi. Certificato ROHS 2.0.

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  • Dettagli del prodotto

Fotodiodo InGaAs ad alta velocità da 40G

Caratteristiche

  • Ampia larghezza di banda
  • Bias-T incorporato
  • Accoppiato in corrente continua
  • Connettore ermeticamente sigillato, 2,92

Applicazioni

  • Comunicazione in fibra ottica ad alta velocità
  • Elaborazione delle informazioni radar
  • Guerra elettronica
  • Test e misurazione del segnale ad alta velocità
  • Fotonica a microonde

Selezione del prodotto

Valutazione massima tipica e assoluta

Parametro

Sim.

Tipo

Valutazione

Unità

Intervallo di temperatura di conservazione

TSTG

-45 ～ +85

-55 ～ +85

°C

Intervallo di temperatura del caso operativo

TC

25

-40 ～ +85

°C

Tensione di polarizzazione

Realtà virtuale

5

5 ~ 6

V

Potenza di ingresso ottica

Spillo

+3

+10

mW

Potenza ottica bruciata

PB

- +15

mW

Temperatura di saldatura del piombo

Tp

280 (10 secondi)

330 (10 secondi)

°C

Specifiche ottiche ed elettriche

Parametro

Simbolo

Minimo

Tipo

Massimo

Unità

Nota

Spettro di risposta

λ

1000

1650

nanometro

Larghezza di banda del segnale piccolo

-3dB

35

40

GHz

Potenza ottica massima in ingresso

Pomeriggio

13

mW

2,3

Reattività

R

0,75

0,85

Autunno/Inverno

1

Ampiezza piatta

UN

±2

dB

Tensione di polarizzazione per PD

Vpd

5 6

V

3

ROS in uscita

ROS

2.5 3

Potenza di uscita RF di saturazione

Broncio

-10

dBm

corrente oscura

Id

1 40

n / a

Impedenza di uscita

RL

50

Ombra

Nota

1. λ=1310nm, 1550nm

2. 2. 25° C di polarizzazione normale

3. L'esposizione a valori massimi assoluti può influire negativamente sull'affidabilità del dispositivo o causare danni permanenti.

Curve di risposta tipiche

40G High Speed InGaAs Photodetector

Fig.1 Risposta in frequenza del fotodiodo 40G

Dimensioni e perni (unità: mm)

40G High Speed InGaAs Photodetector

Informazioni per l'ordine

Numero di parte

Nota

HSPD4040

Ricevitore PD da 40 GHz con connettore in fibra SM FC/APC

Precauzioni

Raggio di curvatura della fibra non inferiore a 20 mm per evitare danni alla fibra.

Assicurarsi che la sfaccettatura di accoppiamento della fibra sia pulita prima di collegarla al circuito ottico.

È necessaria un'adeguata protezione ESD durante lo stoccaggio, il trasporto e l'uso.

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